半導体の製造工程では、多結晶シリコンを溶融し単結晶棒(インゴット)を作り、スライスしてウエハを作ります。その後、ウエハに必要なイオンを打ち込んで素子をつくりました。
半導体の製造工程では、多結晶シリコンを溶融し単結晶棒(インゴット)を作り、スライスしてウエハを作ります。その後、ウエハに必要なイオンを打ち込んで素子をつくるイオン注入という工程があります。その工程で使用されるイオン注入装置のヒーター給電箇所に大電流コネクタが使われています。
装置内の限られたスペースで定格150~200Aの給電箇所の切り離しがあり、従来品のコネクタは全長が長く、着脱作業も固くやりにくい状況でありました。
接続不良を防ぐためにバネを用いて接続部分の接圧を一定にする特殊コネクタを導入しました。それまではたびたびラインが止まってしまっていましたが、導入後は一切通電不良がなくなりました。